포스텍, 저장량 늘린 플래시 메모리 기술 개발
포스텍, 저장량 늘린 플래시 메모리 기술 개발
  • 이상호
  • 승인 2022.06.22 21:30
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정윤영 교수팀·삼성전자 공동연구
입자 데이터 저장 영역에 충돌
멀티레벨 메모리 구현 가능
정윤영교수
정윤영 교수
포스텍은 정윤영 전자전기공학과·반도체공학과 교수 연구팀이 삼성전자와 공동연구를 통해 의도적으로 결함을 만들어 데이터 저장량을 늘린 플래시 메모리 기술을 개발했다고 22일 밝혔다.

현재 인공지능 기술이 많은 발전을 거듭해 기존 디지털 방식과 다르게 여러 레벨의 데이터를 표현하면서 신경망 연산에 최적화된 인공지능 반도체 필요성이 커지고 있다.

새로운 소재, 소자를 활용한 메모리가 인공지능 반도체로 다양하게 연구되고 있지만 그동안 다양한 전자기기 저장장치로 널리 이용된 플래시 메모리에 비해 내구성, 양산성, 정보 저장능력이 떨어지는 문제가 있었다.

이에 연구팀은 활용성이 검증된 플래시 메모리 기반으로 고성능 인공지능 반도체를 구현하기 위해 높은 에너지를 갖는 플라즈마 입자를 메모리 데이터 저장 영역에 강하게 충돌시켰다.

충돌로 인해 데이터 저장 층에 생성된 다량의 결함에는 보다 많은 전자가 저장될 수 있어 기존 플래시 메모리 대비 데이터 저장량을 획기적으로 증가시킬 수 있음을 확인했다.

다량의 결함이 형성된 데이터 저장 층에 전자를 점진적으로 채우면 여러 레벨 데이터를 단일 소자에서 표현하는 멀티레벨 메모리를 구현할 수 있다.

이 연구에서 개발된 멀티레벨 플래시 메모리는 무려 8개의 레벨을 안정적으로 구분할 수 있었다.

인공지능 반도체 소자에 적용할 경우 기존 인공지능 반도체 소자와 비교해 추론의 정확도와 신뢰성을 획기적으로 높일 수 있을 것으로 기대된다.

이번 연구는 나노 기술 분야 저명 국제 학술지 ‘머터리얼즈 투데이 나노(Materials Today Nano)’에 최근 게재됐다.

포항=이상호기자 ish@idaegu.co.kr

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